TGF2965-SM

nhà sản xuất:
Qorvo
Mô tả:
RF JFET Transistors 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
Nhóm:
Các chất bán dẫn điện tử
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity ::
P-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
18 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
6 W
Package / Case ::
QFN-16
Maximum Operating Temperature ::
-
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
-
Id - Continuous Drain Current ::
600 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 2.7 V
Pd - Power Dissipation ::
7.5 W
Nhà chế tạo ::
Qorvo
Lời giới thiệu
TGF2965-SM, từ Qorvo, là RF JFET Transistors. những gì chúng tôi cung cấp có giá cạnh tranh trên thị trường toàn cầu,được trong nguyên bản và các bộ phận mới.Nếu bạn muốn biết thêm về các sản phẩm hoặc áp dụng một giá thấp hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi thông qua cuộc trò chuyện trực tuyến hoặc gửi một báo giá cho chúng tôi!
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: