QPD1008L
![chất lượng [#varpname#] nhà máy sản xuất](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
nhà sản xuất:
Qorvo
Mô tả:
RF JFET Transistors DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
Nhóm:
Các chất bán dẫn điện tử
Thông số kỹ thuật
Phân cực của Transistor::
kênh N
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Nhận được ::
17,5dB
Transistor Type ::
HEMT
Công suất ra ::
162 W
Package / Case ::
NI-360
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
50 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
4 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
145 V
Pd - Power Dissipation ::
127 W
Manufacturer ::
Qorvo
Lời giới thiệu
QPD1008L, từ Qorvo, là RF JFET Transistors. những gì chúng tôi cung cấp có giá cạnh tranh trên thị trường toàn cầu, trong đó có các bộ phận gốc và mới.Nếu bạn muốn biết thêm về các sản phẩm hoặc áp dụng một giá thấp hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi thông qua cuộc trò chuyện trực tuyến hoặc gửi một báo giá cho chúng tôi!
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: