QPD1000
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
19 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
24 W
Package / Case ::
QFN-8
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
28 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
817 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
100 V
Pd - Power Dissipation ::
28.8 W
Manufacturer ::
Qorvo
Lời giới thiệu
QPD1000, từ Qorvo, là RF JFET Transistors. những gì chúng tôi cung cấp có giá cạnh tranh trên thị trường toàn cầu, trong đó có các bộ phận gốc và mới.Nếu bạn muốn biết thêm về các sản phẩm hoặc áp dụng một giá thấp hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi thông qua cuộc trò chuyện trực tuyến hoặc gửi một báo giá cho chúng tôi!
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: