CLF1G0060S-30U
![chất lượng [#varpname#] nhà máy sản xuất](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
nhà sản xuất:
Chất bán dẫn NXP
Mô tả:
Transistor RF JFET Công suất RF băng thông rộng GaN HEMT
Nhóm:
Các chất bán dẫn điện tử
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN Si
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
13 dB
Transistor Type ::
HEMT
Package / Case ::
SOT1227B
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
150 V
Bao bì::
Bơm
Id - Continuous Drain Current ::
5.1 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
3 V
Manufacturer ::
NXP Semiconductors
Lời giới thiệu
CLF1G0060S-30U, từ NXP Semiconductors, là RF JFET Transistors. những gì chúng tôi cung cấp có giá cạnh tranh trên thị trường toàn cầu, trong đó có các bộ phận gốc và mới.Nếu bạn muốn biết thêm về các sản phẩm hoặc áp dụng một giá thấp hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi thông qua cuộc trò chuyện trực tuyến hoặc gửi một báo giá cho chúng tôi!
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: