IRLML2060TRPBF Infineon đơn kênh N-channel HEXFET Power MOSFET
Số phần: IRLML2060TRPBF
Tổng quan sản phẩm:CácIRLML2060TRPBFlà một hiệu suất caoMOSFET kênh Nđược sản xuất bởi Infineon Technologies. Chi tiết này được thiết kế cho các ứng dụng đòi hỏi chuyển đổi hiệu quả, kháng cự thấp và hiệu suất tốc độ cao trong các gói nhỏ gọn.
Đặc điểm chính:
- Loại: MOSFET kênh N
- Điện áp nguồn thoát nước (Vds): 20V
- Dòng chảy liên tục (Id): 6.3A
- Điện áp ngưỡng cổng (Vgs(th)): 1V đến 3V
- Điện áp nguồn cổng tối đa (Vgs): ±12V
- Kháng hoạt động (Rds ((on)): 0.025Ω ở Vgs = 4.5V
- Tổng phí cổng (Qg): 10nC
- Loại gói: SOT-23
- Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -55°C đến +150°C
- Tuân thủ: Phù hợp với RoHS
Các lĩnh vực ứng dụng:
- Chuyển ứng dụng:Lý tưởng để sử dụng trong các mạch chuyển đổi tốc độ cao do khả năng chuyển đổi nhanh.
- Chuyển tải:Thích hợp cho các ứng dụng đòi hỏi kháng cự điện thấp và chuyển tải tải hiệu quả.
- Bộ chuyển đổi DC-DC:Được sử dụng trong các mạch chuyển đổi năng lượng để tăng hiệu quả.
- Động cơ:Cung cấp hiệu suất đáng tin cậy trong các ứng dụng điều khiển động cơ.
- Quản lý pin:Đảm bảo sử dụng pin hiệu quả và bảo vệ các thiết bị chạy bằng pin.
Thiết lập và sử dụng:
CácIRLML2060TRPBFđược thiết kế để tích hợp trực tiếp vào mạch điện tử. gói SOT-23 cho phép gắn công nghệ gắn bề mặt nhỏ gọn (SMT) trên bảng mạch in (PCB).Việc xử lý và lắp đặt đúng cách là điều cần thiết để tối đa hóa hiệu suất và độ tin cậy.
Lý do để chọn IRLML2060TRPBF:
Lựa chọnIRLML2060TRPBFđảm bảo bạn đang sử dụng mộtMOSFET kênh N chất lượng caovớiHiệu suất và độ tin cậy tuyệt vờiPhần này sẽ tăng hiệu quả và chức năng của hệ thống điện tử của bạn, cung cấpchuyển đổi hiệu quảvàkháng cự điện thấp.
Mua IRLML2060TRPBF ngay hôm nay để tối ưu hóa thiết kế điện tử của bạn và đảm bảo hiệu suất và độ tin cậy vượt trội!
Liên hệ với chúng tôi:
Để biết thêm thông tin hoặc hỗ trợ kỹ thuật, vui lòng truy cập trang web của Infineon Technologies hoặc liên hệ với nhóm dịch vụ khách hàng của họ.Họ có sẵn để giúp bạn với bất kỳ câu hỏi hoặc hỗ trợ bạn có thể cần.
![chất lượng [#varpname#] nhà máy sản xuất](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif)
BFP420H6327XTSA1 Infineon NPN Silicon RF Transistor
![chất lượng [#varpname#] nhà máy sản xuất](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif)
IRF9328TRPBF Infineon đơn kênh P HEXFET Power MOSFET
![chất lượng [#varpname#] nhà máy sản xuất](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif)
IRFR220NTRPBF Infineon đơn kênh N IR MOSFET
![chất lượng [#varpname#] nhà máy sản xuất](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif)
IRFR9120NTRPBF Infineon đơn kênh P IR MOSFET
![chất lượng [#varpname#] nhà máy sản xuất](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif)
IRF540NSTRRPBF Infineon IR MOSFET 100 V trong gói D2PAK
Hình ảnh | Phần # | Mô tả | |
---|---|---|---|
![]() |
BFP420H6327XTSA1 Infineon NPN Silicon RF Transistor |
BFP420H6327XTSA1 BFP420 Overview Parametrics Documents Order Design Support Packaging Support NPN Silicon RF Transist
|
|
![]() |
IRF9328TRPBF Infineon đơn kênh P HEXFET Power MOSFET |
IRF9328TRPBF IRF9328 30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
|
|
![]() |
IRFR220NTRPBF Infineon đơn kênh N IR MOSFET |
IRFR220NTRPBF IRFR220N 200V Single N-Channel IR MOSFET in a D-Pak package
|
|
![]() |
IRFR9120NTRPBF Infineon đơn kênh P IR MOSFET |
IRFR9120NTRPBF IRFR9120N 100V Single P-Channel IR MOSFET in a D-Pak package
|
|
![]() |
IRF540NSTRRPBF Infineon IR MOSFET 100 V trong gói D2PAK |
IRF540NSTRRPBF IRF540NS 100V33A IR MOSFET
|